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据媒体报道,合肥安海半导体股份有限公司(简称“安海半导体”)近来宣告,其自主研制的6.5kV/40mΩ与10kV/130mΩ系列碳化硅(SiC)MOSFET芯片,已经过浙江大学电气工程学院试验查验,并经由中国科学院电工研究所高频场控功率器材及设备产品质量查验中心现场见证测验,现在两款产品均已完成量产,良率均打破80%。
检测陈述数据显现,本次量产的两款芯片功能体现优异,全方面掩盖高端电力电子高压使用区间,兼具超高耐压与低导通损耗的两层优势,为高压直挂使用供给了抱负的中心器材。
这一打破有望推进多个高的附加价值职业的电气架构革新:在绿色船只与高铁交通范畴,可显着下降牵引系统损耗,减小设备体积与分量,助力交通运输绿色转型;在新式配电与算力供电范畴,作为高压直挂固态变压器的中心元件,可支撑智能电网建造,一起简化算力中心供电架构,打造节能型绿色算力基础设施;在高压柔性直流输电范畴,其使用可将传统串联器材数量削减60%以上,简化系统结构,助力我国电力配备工业脱节对进口IGBT器材的依靠,完成“换道超车”。
安海半导体负责人黄昕表明,10kV芯片完成高良率量产,标志着我国在该范畴完成了从“跟跑”到“领跑”的跨过。未来,公司将继续拓宽高压碳化硅的使用鸿沟,积极地推进“产学研用”立异系统建造,供给更优质的功率解决方案,服务国家严重战略需求,赋能工业晋级。
现在,安海半导体第一批10kV碳化硅MOSFET芯片已顺畅出货。黄昕泄漏,公司正携手下流头部客户,加快推进器材封装、驱动等有关技术发展,推进该芯片在船只、高铁、算力中心及智能电网等范畴的使用落地。
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